全球快報:東芝推出面向更高效工業設備的第三代SiC MOSFET

該系列產品包含1200V和650V兩種規格－

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET^[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。

新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%^[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%^[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%^[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產品有助于提高設備效率。

(資料圖片僅供參考)

東芝將進一步壯大其功率器件產品線，強化生產設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現碳中和經濟。

應用：

-??? 開關電源（服務器、數據中心、通信設備等）

-??? 電動汽車充電站

-??? 光伏變頻器

-??? 不間斷電源（UPS）

特性：

-??? 單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）

-??? 低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）

-??? 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V

主要規格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

注：

[1] 通過采用為第二代SiC MOSFET開發的內置肖特基勢壘二極管的架構，東芝開發出一種可降低單位面積導通電阻（RDS(ON)A），同時降低JFET區域反饋電容的器件架構。

[2] MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管。

[3] 當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。

[4] 當第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調研。

[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調研。

如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：

1200V產品

TW015N120C

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TW030N120C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW030N120C

TW045N120C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW045N120C

TW060N120C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW060N120C

TW140N120C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW140N120C

650V產品

TW015N65C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW015N65C

TW027N65C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW027N65C

TW048N65C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW048N65C

TW083N65C

https://toshiba-semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW083N65C

TW107N65C

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如需了解相關東芝SiCMOSFET的更多信息，請訪問以下網址：

SiC功率器件

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SiCMOSFET

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1200V產品

TW015N120C

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TW045N120C

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TW060N120C

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TW140N120C

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650V產品

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TW083N65C

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TW107N65C

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*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

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關鍵詞： 電子元件 株式會社 存儲裝置 開關損耗 單位面積