東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代^[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業設備開關電源，其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。

與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性^[2]之間的平衡^[3]，從而實現了優異的低損耗特性。此外，開關操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助于減少開關電源的電磁干擾（EMI）。該產品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance（N）這兩種類型的表面貼裝封裝。

與此同時，東芝還提供各類工具，為開關電源的電路設計提供支持。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，現在還提供能精確再現瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝將進一步擴大其MOSFET產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，進而幫助其降低功耗。

應用：

-??? 通信設備電源

-??? 開關電源（高效率DC-DC轉換器等）

特性：

-???? 優異的低損耗特性（在導通電阻和柵開關電荷及輸出電荷間取得平衡）

-???? 卓越的導通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V

-???? 高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃

主要規格：

（除非另有說明，@Ta＝25℃）

注：

[1] 截至2022年3月的東芝調查。

[2] 柵極開關電荷和輸出電荷。

[3] 與現有產品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，該產品將漏源導通電阻×柵開關電荷提高了大約20%，漏源導通電阻×輸出電荷提高了大約28%。

如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：

TPH9R00CQH

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/intelligent-power-ics/detail.TPH9R00CQH.html

如需了解相關東芝MOSFET的更多信息，請訪問以下網址：

MOSFET

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

如需了解高準確性SPICE模型（G2模型）的更多信息，請訪問以下網址：

G2模型

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html

如需了解相關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址：

TPH9R00CQH

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH9R00CQH.html

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