當前聚焦：X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達成許可協議，推出創新的130納米SiGe BiCMOS平臺

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關系。作為新協議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術授權，將這一技術的性能優勢帶給大批量市場的客戶群體。

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130納米SiGe BiCMOS平臺

新創建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術組合，提供了獨特的解決方案，達到滿足下一代通信要求所需的更高性能參數。受益于這項技術的領域包括Wi-Fi 6（和未來的Wi-Fi 7）接入點，以及下一代蜂窩基礎設施（特別是5G 毫米波與新興6G標準）和車對車（V2V）通信；該技術還將在+100GHz雷達系統的開發中發揮關鍵作用，適用于汽車和消費類應用。

這項許可協議延續了2021年啟動的合作，當時X-FAB的銅后道工藝被添加至IHP的SG13S和SG13G2前端技術中，以提高可支持的帶寬數據。關于這一創新的SiGe平臺，X-FAB將于2022年第四季度開始與選定的早期合作廠商開展原型開發項目。早期準入的PDK可實現原型設計，而量產將在X-FAB法國位于巴黎附近的工廠進行。

IHP科學總監Gerhard Kahmen教授表示：“將IHP的HBTs整合至X-FAB的RF平臺，將為客戶打造真正與眾不同的SiGe BiCMOS技術，這肯定會帶來切實的性能優勢。我們雙方之間的技術轉讓，已成為工業與研究機構攜手取得卓越成果的完美范例。”

“X-FAB和IHP在融合我們各自優勢資源開發前沿半導體解決方案領域擁有杰出的成績；雙方針對SiGe技術的最新協議將這一實踐帶入令人興奮的全新階段。”X-FAB RF技術總監Greg U"Ren博士表示，“這是雙方進一步推進SiGe BiCMOS相關創新的起點，涵蓋了工業自動化、消費電子和車載等使用案例，將推動在未來幾年內對通信領域的重新定義。”

縮略語：

BiCMOS 雙極互補金屬氧化物半導體

HBT??????? 異質結雙極型晶體管

mmW?????????? 毫米波

PDK?????? 工藝設計套件

RF ??????? 射頻

SiGe????????????? 鍺硅

X-FAB是領先的模擬/混合信號和MEMS晶圓代工集團，生產用于汽車、工業、消費、醫療和其它應用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0μm至130nm的模塊化CMOS和SOI工藝，及其特色SiC與微機電系統（MEMS）長壽命工藝，為全球客戶打造最高的質量標準、卓越的制造工藝和創新的解決方案。X-FAB的模擬數字集成電路（混合信號IC）、傳感器MEMS在德國、法國、馬來西亞和美國的六家生產基地生產，并在全球擁有約4,000名員工。www.xfab.com

IHP作為萊布尼茨聯合研究所的一部分，是歐洲領先的硅基系統和超高頻電路與技術（包括新材料）研究中心。該研究所為無線和寬帶通信、安全、醫療技術、工業4.0、汽車工業及航空航天等應用領域開發創新的解決方案。IHP擁有先進的工藝基礎設施，包括1500平方米的DIN EN ISO 14644-1潔凈室，用于為毫米波、THz和光子學應用制造合格的硅基射頻技術與系統。通過內部設計套件的開發，技術模塊的擴展迅速達到可靠且適用的水平。其旗艦技術包括世界最快、穩定和合格的130納米SiGe BiCMOS工藝線（采用下一代高性能SiGe HBT技術的SG13G2和最新SG13G3）。IHP擁有約360名員工。www.ihp-microelectronics.com

關鍵詞： 解決方案 基礎設施 許可協議 異質結雙極型晶體 生產基地