世界今亮點！簡述霍爾電動勢產生的原理 霍爾電動勢產生的原因

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霍爾效應的原理是什么?

1.原理：當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在半導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應，這個電勢差也被稱為霍爾電勢差。

(資料圖片)

2.原理：在半導體上外加與電流方向垂直的磁場，會使得半導體中的電子與空穴受到不同方向的洛倫茲力而在不同方向上聚集，在聚集起來的電子與空穴之間會產生電場。

3.霍爾效應的原理 霍爾效應從本質上講是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用而引起的偏轉。

4.霍爾效應：是電磁效應的一種，這一現象是美國物理學家霍爾于1879年在研究金屬的導電機制時發現的。

5.霍爾效應的原理，中就有：霍爾效應在1879年被物理學家霍爾發現：當電流通過一個位于磁場中的導體的時候，磁場會對導體中的電子產生一個垂直于電子運動方向上的的作用力，從而在導體的兩端產生電勢差。

什么是霍爾效應?霍爾電動勢與哪些因素有關

1.當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發生偏轉，垂直于電流和磁場的方向會產生一附加電場，從而在半導體的兩端產生電勢差，這一現象就是霍爾效應。

2.在半導體薄片兩端通以控制電流I，并在薄片的垂直方向上施加磁感應強度為B的磁場，那么，在垂直于電流和磁場的方向上將產生電勢UH(稱為霍爾電勢電壓)，這種現象稱為霍爾效應 。霍爾電動勢的大小正比于控制電流和磁感應強度。

3.霍爾電勢和半導體材質、霍爾元件的偏置電流、半導體材料的厚度、磁感應強度有關。霍爾器件是一種利用霍爾效應的固態電子器件。

4.當電流垂直于外磁場通過導體時，在導體的垂直于磁場和電流方向的兩個端面之間會出現電勢差，這一現象便是霍爾效應。這個電勢差也被叫做霍爾電勢差。

5.霍爾效應是磁電效應的一種，這一現象是美國物理學家霍爾（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導電機構時發現的。

霍爾效應是什么?

霍爾效應是電磁效應的一種，這一現象是美國物理學家霍爾（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金屬的導電機制時發現的。

霍爾效應從本質上講是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用而引起的偏轉。當帶電粒子（電子或空穴）被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直電流和磁場方向上產生正負電荷的聚積，從而形成附加的橫向電場，即霍爾電場EH。

霍爾效應是指當導體中有電流通過時，垂直于電流方向的磁場作用下，產生一種電勢差現象，該現象被稱為霍爾效應。這種電勢差稱為霍爾電壓，其大小與磁場的強度及電流的大小成正比，與導體材料的特性有關。

霍爾效應是美國物理學家霍爾（E.H.Hall，1855—1938）于1879年發現電磁效應的一種。

霍爾效應是一種磁敏效應，一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感應強度為B的磁場，則在寬度Y方向上會產生電動勢UH，這種現象即稱為霍爾效應。

這就是霍爾效應。利用左手定則，可以判斷載流子（q0，正電荷）所受洛倫茲力f的方向是與紙面平行向上，即運動向上；載流子（q0，負電荷）所受洛倫茲力f的方向是與紙面平行向下，即運動向下。

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